韩国不认输：中国DRAM内存还落后2年，NAND闪存还落后1年，HBM落后3年
大家都知道，2026年，中国存储芯片两大厂商长鑫与长存，是真的赚疯了。 同时在全球的排名上，长鑫已经排到了全球第四名，仅次于三星、SK海力士、美光，而长存则排到了全球第三名，仅次于三星、SK海力士这两大厂商了。 按照媒体的乐观预计，接下来中国这两大厂商，会大规模的进行史诗级扩产，然后迅速追上韩国三星、SK海力士。 毕竟中国厂商，从0发展到如今的成绩，也只花了10年左右的时间，这个速度，是远超三星、SK海力士的，目前天时、地利、人和都被中国企业占据了。 面对中国企业的追赶，韩国不得不承认中国企业的厉害，中国科技的发展，但另外一方面，却不认输，不肯低下自己的头。 近日，韩国半导体产业协会，发布了中国存储芯片与韩国的技术差距，报告指出：在NAND闪存上，中国仅落后韩国1年，但DRAM技术则落后2年，至于HBM则落后3年。 事实上，中国存储芯片，真的落后韩国这么多么？ 这就见仁见智了，NAND闪存技术，长存曾经是全球第一家量产232层3D NAND芯片的厂商，后来被打压，但长存进行国产替代，目前在产品性能上，真不比韩国差了，这也是它能够位居全球第3名的底气。 同时长江存储拥有大量的混合健合技术专利，三星、SK海力士都要找长江存储要专利授权，你觉得落后不落后？ 至于DRAM内存方面，长鑫更是全球首发LPDDR6内存，与小米合作，用于小米18 Fold之上，这也是领先于三星、SK海力士等厂商的，你觉得落后2年么？ 当然，要承认在HBM上面，我们确实是落后一些，这个是因为设备被卡的原因，毕竟HBM是DRAM内存堆叠而成，先进设备被卡了，确实受到了影响。 但在技术实力上，我可不认为会落后3年之久，相信放开先进设备，我们马上就能够追上来，直接达到同等水平。 但为何韩国要这么说，其实主要还是不承认失败，不愿意接受中国存储芯片已经追上来的事实，所以硬着头皮，硬要说中国存储芯片依然落后于韩国，算是保持着自己最后的倔强。 不过我想，长存、长鑫很快会打它们脸的，到时候抢走他们的市场，他们就算嘴再硬，只怕也硬不起来了。 特别
